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编辑:安磁检测 2026-07-13 138
墙插式USB充电器在UL 62368-1认证的温升测试环节中,内部紧凑空间的热累积效应是认证失败率较高的技术壁垒。我们分析了多次墙插式电源的UL温升测试数据,发现尽管产品和功率等级各不相同,温升超标集中在三类场景:初级侧高压电容区域、USB-C输出端子附近以及插头刀片-外壳接合部位。整理了这三类高频退回首场景的成因和相应的设计优化路径。

墙插式电源的输入滤波电解电容和PFC输出电容(如有主动PFC)紧邻整流桥和功率开关管,在65W以上GaN充电器中所处区域的壳内环境温度常常超过80℃。如果选用的电解电容额定温度为105℃,降额10-15℃后实际允许壳温仅为90-95℃,留给设计的热裕度非常紧张。
设计对策分三个层面:器件选型层面,优先选用125℃额定温度的长寿命电解电容,将允许壳温提升至110-115℃,释放约15-20℃的热裕度;布局层面,将电解电容远离变压器和MOSFET散热片等热源器件,在PCB上预留热隔离槽;散热层面,在电解电容与外壳之间填充导热硅脂或导热垫片,利用塑料外壳的外表面积辅助散热。在一个实际65W GaN充电器的UL温升整改中,将105℃电解电容更换为125℃型号,并在电容顶部与外壳内壁之间增加0.5mm导热垫片后,电容壳温从98℃降至88℃,回到UL限值之内。
支持USB PD 100W输出的充电器,USB-C连接器的VBUS和GND引脚在5A电流下产生数十毫瓦的接触电阻焦耳热,加上连接器位于外壳边缘靠近外壳表面,温度容易超出UL 62368-1对可触及表面温度的限值。连接器的金属外壳如果通过PCB铜箔散热,铜箔导体自身的温升会叠加到连接器温度上。
对策包括:选用低接触电阻的USB-C连接器(标称30mΩ以下的型号);在PCB布局中将连接器的VBUS和GND焊盘铜箔展宽至最大宽度以增强导热效果;在连接器金属外壳与PCB之间增加散热铜皮并通过热过孔传导至内层地平面。100W级别充电器建议在连接器下方布置独立的铜皮散热区域并通过多个热过孔与内层地平面连接。

墙插式电源的AC插头刀片通过PCB焊接或铆接与内部电路连接,刀片根部与外壳相邻区域是热传导的节点。在满载工况下,刀片接触电阻和PCB铜箔的焦耳热通过刀片传导至外壳插头根部区域,使该区域的外壳表面温度升高。UL 62368-1对外壳不同区域的温升限值有区分——手部接触区域的限值严于非接触区域,插头刀片根部的外壳正好处于用户拔插时手指抓握的位置。
设计对策:在PCB布局中将刀片焊盘区域的铜箔面积适当扩展以降低局部电流密度和焦耳热,并在刀片根部与外壳之间设置隔热间隙或隔热挡板,阻断热传导路径。在选材上,刀片根部附近的塑料外壳使用较高热变形温度的工程塑料(如玻纤增强PC),以承受局部高温区域的长期应力。
Q1 温升测试中最容易忽略的细节是什么?
UL温升测试要求产品在最高额定环境温度下满载运行至热稳定。很多设计团队在内部摸底时仅在常温下做温升测试,忽略了环境温度从25℃升高到额定上限(如40℃或50℃)时,内部温升线性叠加后超出限值的风险。预测试须在额定最高环境温度的恒温箱中进行。
Q2 导热垫片是否会影响UL的绝缘距离评估?
如果导热垫片跨接在初级侧高压节点和可触及外壳之间,必须评估导热垫片是否满足加强绝缘的厚度和介电强度要求。普通导热硅脂和导热垫片的介电强度通常不足以作为加强绝缘屏障,建议将导热垫片仅用于二次侧低电压区域的散热,避免跨接绝缘边界。
Q3 多端口墙插充电器温升测试各端口是否都需要满载?
是的。UL 62368-1要求在正常使用的最不利负载条件下进行温升测试。多端口充电器所有端口同时满载是最不利工况,各端口须独立加载至额定最大值。支持PD的端口须在各PDO电压等级下分别测温。
Q4 GaN充电器的温升问题是否比硅充电器更突出?
GaN器件自身效率高于硅,但GaN充电器的功率密度通常是同功率硅充电器的1.5-2倍,外壳体积更小导致单位体积热耗散密度更高。因此尽管器件级效率提升,系统级的温升裕度反而更紧张。合理的散热设计在此类产品中尤为关键。
Q5 温升整改后是否需要通知UL并更新认证文件?
如果温升整改涉及关键器件的型号、规格或供应商变更(如更换不同额定温度的电解电容),须通过墙插电源UL变更管理流程向UL提交变更申请。仅涉及PCB铜箔面积或导热材料调整的结构性优化通常不需要UL重新审核。
本文内容仅供行业交流与信息参考,不构成任何形式的认证承诺、检测建议或法律意见。文中涉及的认证要求、流程及标准信息可能随法规更新而变化,请以国家相关部门最新公告为准。检测认证的具体要求、周期及费用需根据实际产品由专业工程师评估确定,如有需求请致电咨询。
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